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微間距LED大屏技術取得突破

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        近日,HKC惠科在高端顯示領域取得重大突破,成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 (SiMiP)在微間距LED大屏直顯領域的應用的研發(fā)。該技術基于立琻半導體SiMiP芯片基礎上的共同研發(fā),提升了生產效率與顯示效果。

       基于微間距LED大屏直顯領域迅速發(fā)展, 伴隨著像素間距的進一步微縮,縮小芯片在COB產品的需求急速提升。MiP方案成為微間距大屏直顯技術發(fā)展的選擇之一。

圖片來源:惠科

        惠科與立琻半導體融合雙方在芯片, 顯示方案及產業(yè)鏈資源上的核心優(yōu)勢,成功推動SiMiP芯片技術的應用落地。此次研發(fā)的SiMiP技術通過單芯集成紅綠藍三基色像元,簡化生產與修復工藝,該技術可大幅提高微間距LED顯示模組生產的直通良率,顯著降低生產成本,兼具高性能和成本的優(yōu)勢。

       據介紹,SiMiP采用單芯片集成方案,無需復雜的巨量轉移和修復工藝,直通良率顯著提高;通過創(chuàng)新技術路線,減少傳統工藝中的復雜環(huán)節(jié),同時避免使用有毒材料,更具環(huán)保優(yōu)勢;紅綠藍三基色像元在發(fā)光波長、工作電壓及出光分布上具有高度一致性,從根本上解決了傳統方案的色偏問題。

(來源:HKC惠科)

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